型号:IRFZ44N 类型:N沟道场效应管 耗散功率(PD):【管壳温度(Tc)=25 ℃】94 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=100 ℃】35 A 漏极和源极电压(VDSS):55 V 漏极和源极通态电阻(RDS(...
12-09 132
k4145参数引脚图 |
k4145场效应管参数,k3505MOS管参数
封装TO-220 数量1 QQ 1084830802 封装TO-220 批号18+ FET类型S 漏源电压(Vdss) F 漏极电流(Id) 4 漏源导通电阻(RDS On) T5 栅源电压(Vgs) 6 栅极电荷(Qg) S 反向恢复时型号:2SK4145 类型:N沟道场效应管耗散功率(PD):84 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】84 A 漏极和源极电压(VDSS):60 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.01 Ω 封装:TO-22
型号/规格:2SK4145 应用范围:功率功率特性:中功率频率特性:中频极性:NPN型结构:点接触型材料:硅(Si) 我司为日本NEC的特许经销商,专门大量供应MOS管2SK4145 ,为替代STP75NF75 ,AOT43RFP40N10的参数:N沟、100V、40A。K4145的参数:N沟、70V、80A 。根据以上参数可知,如果要求不是很高的话,RFP40N10是能用K4145代换的。
源极(source)source资源,电源,中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极(drain)drain排出,泄漏,中文翻译为漏极。起发射作用的电极。将场效应管有字的一面朝k4145场效应管参数k4145场效应管参数:1、集电极电压:Vce=45V 2、集电极电流:Ic=2A 3、基极电压:Vbe=1.5V 4、增益带宽比:hfe=100 5、输出电容:Cc=20pF 6、输入电容:Cin=2.5p
您好,亲,K4145场效应管参数是220伏,最大耗散功率:167W,最大漏源电流:16A漏源击穿电压:600V,内阻:0.26,通态电流:8A,感谢您的咨询,希望我的回答可以帮供应电动车控制器MOS管K4145地区:广东汕头认证:无汕头市欧讯电子普通会员全部产品进入商铺图文详情产品属性相关推荐品牌:NEC 封装:TO220 型号:K4
后台-插件-广告管理-内容页尾部广告(手机) |
标签: k3505MOS管参数
相关文章
型号:IRFZ44N 类型:N沟道场效应管 耗散功率(PD):【管壳温度(Tc)=25 ℃】94 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=100 ℃】35 A 漏极和源极电压(VDSS):55 V 漏极和源极通态电阻(RDS(...
12-09 132
5N60一款N沟道增强型高压功率MOS管,具有600V高压,可以适用于DC-DC电源转换器中,而目前DC-DC转换器广泛应用于手机、MP3、数码相机、便携式媒体播放器等产品中。说明对于电子工程师来...
12-09 132
Expo释义:展览会;博览会;音标:英 ['ekspəʊ] 美 [ˈɛkspoʊ]Exhibit释义:展览;展出;表现,显示,显出 音标:英 [ɪɡˈzɪbɪt] 美 [ɪɡˈzɪbɪt]Exhibition释义:展览...
12-09 132
据充电头网的最新消息,iPhone 15系列的Type-C接口完全可以兼容其他设备的线材,安卓手机也能通用,没有任何加密措施。 要知道之前配备Lightning接口的iPhone,苹果限制了一些未通过其 ...
12-09 132
发表评论
评论列表