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fqpf20n60c参数FQPF20N60C是一款N沟道场效应晶体管，常用于高电流和高电压应用。它具有低导通电阻和高开关速度的特点，因此在电源管理、电机控制和逆变器等领域得到了广泛应用型号：FQPF20N60 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):50 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】20 A 漏极和源极电压(VDSS):600 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.37 Ω 封装：TO

场效应管型号大全场效应管参数手册大全场效应管参数查询1n60场效应管cs830场效应管参数贴片场效应管参数大全2n7000场效应管参数场效应管20n60参20N60是一款N型场效应晶体管，它是一款高功率MOSFET，具有良好的可靠性和高效率。它的参数如下：VDSS：20VID：60ARDS（on）：0.0075ΩQg：20nCCiss：1400pFCoss：4

购买FDPF12N60NZ 产品说明FDPF12N60NZ参数：12A,600V,N沟道场效应管FDPF12N60NZ N 沟道UniFETTM II MOSFET 600V, 12A, 650mΩ UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体的高压MOSFET 系列产品，基于平面常用场效应管参数表20100101 04:14型号厂家方式v111V xing A pdpchWIRF48 IR N 60 50 190IRF024 IR N 60 17 60IRF034 IR N 60 30 90IRF035

Junction and Storage Temperature Range 温度范围：55~+150℃ 20N60场效应管/TO-220封装尺寸：20N60场效应管/TO-220F封装尺寸：20N60场效应管/TO-252封装尺寸：〈烜芯微/XXW〉专业20n60场效应管的频率特性有两个参数，分别是最高频率(fh)和最低频率(fl)。最高频率是20n60场效应管所能放大的最大信号频率，一般来说，它要大于最低频率。最低频率是20n60场效