3878场效应管参数,3n150场效应管参数

3878场效应管参数,3n150场效应管参数

(｀▽′) --- 产品参数--- 品牌士兰微型号SVF3878PN 封装TO3P 电压900V 电流9A --- 产品详情--- 供应士兰微高压MOS管9A、900V场效应管SVF3878PN,提供9n90参数及代换，更多产品手册、应用料资请向士兰微mo一、3878场效应管的基本参数1. 阈值电压(Vth):3878场效应管的阈值电压是指在栅极和源极之间的电压达到一定值时，导电通道开始形成。阈值电压的大小影响着管子的导通和截止特

场效应管看参数1、K3878是场效应管，型号命名，有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。2、第二位字母代表材料，D是P型号：2SK3878 类型：N沟道场效应管(绝缘栅型) 耗散功率(PD):150 W 漏极电流(ID):9 A 漏极和源极电压(VDSS):900 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):1Ω 封装：TO-3P 更多N沟道场效

该场效应管能够向负载提供高达900V的电压，或者可以使用它驱动高达900V的负载。2SK3878晶体管通常能够承受较高的电压和电流，使其适用于许多功率放大电路和开关电源应用，例如电机、继SVF3878PN TO-3P 3878 无铅料管极限参数(除非特殊说明，T =25 ?C) C 参数符号参数范围单位漏源电压V 900 V DS 栅源电压V±30 V GS 9.0 T =25°C C 漏极

2SK3878参数：9A,900V,N沟道场效应管制造商：Toshiba 产品种类：MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息商标：Toshiba Id-连续漏极电流：9 A Vds-漏源极击穿电压：900 V Rds On-漏源导通电阻：1 Ohms k3878场效应管参数如下：1、2sk3878---N沟、D、S带保护二极管，G、S带保护双向二极管。2、工作电压---900v。3、连续最大电流---9a。4、最大脉冲电流---27a。5、最大输出功率---150w。