4n65f参数,svf4n65f

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≥▂≤ 4N65F是N-MOSFET管，参数：4A、650V、100W。可用MTP4N80,2SK1203,2SK1224,2SK1281,IRF240代换。8n60c代换型号是8N60C是场效应管，可用SSS7N60B T2SK2545(2SK35型号：SVF4N65F 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):33 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】4 A 漏极和源极电压(VDSS):650 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):2.7 Ω 封装：TO-22

参数范围符号SVF4N65TSVF4N65F(G)SVF4N65M/D单位漏源电压DS650GS30=25C4.0漏极电流DM161003377大于25C每摄氏度减少0.800.260.62202mJ工作结温范围stg-55～+150Vgs(th)门级阈值电压是4N65场效应管一个重要的参数。它指的是当一个电压施加到4N65场效应管上，使得源漏电流为IDss时，门级电压的大小。门级阈值电压的高低决定了场效应管的导

╯△╰ 4n65高压mos管参数型号：SVF4N65F/M/MJ/D 电性参数：4A 650V 反向恢复时间(Trr):450ns 导通电阻RDS(on):(典型值)=2.3Ω@VGS=10V 封装：T0-220F-3L、T0-251J-3L、T0-251D-3L、T0-252-24N65F是N-MOSFET管，参数：4A、650V、100W。可用MTP4N80,2SK1203,2SK1224,2SK1281,IRF240代换。

ˇ﹏ˇ 4N65场效应管参数|4N65(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微产品类型场效应管产品型号4N65 极性NPN 漏源电压650V 漏极电流4.0A 封装TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-220F2,TO-220F3,4n65高压mos管参数型号：SVF4N65F/M/MJ/D 电性参数：4A 650V 反向恢复时间(Trr)：450ns 导通电阻RDS(on)：典型值)=2.3Ω@VGS=10V 封装：T0-220F-3L、T0-251J-3L、T0-251D-3L、T