12n60p参数及代换,12n60P好坏

10n60b参数与代换 2023-12-10 15:37 477 墨鱼

10n60b参数与代换

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三极管FQPF12N60参数及代换管，参数：硅、600V、12A、51W、RDS(on)=0.65Ω、带阻尼。所以12N60C是可以代换但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，其中，N是12N60P是一种N沟道功率MOSFET，其引脚参数如下：1、G引脚：代表门极控制端，用于控制MOSFET的导通和截止，需连接到控制电路的驱动信号输出端。2、D引脚：代表漏极

参数：硅、600V、12A、51W、RDS（on）＝0．65Ω、带阻尼。所以12N60C是可以代换2N60的。场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取12N60C可以代换2N60的。2N60是功率场效应管参数是：硅、500V、2A、55W、RDS（on）≤5．1Ω、带阻尼；12N60C也是功率

(^人^) 12N60,F/P封装形式，12A, 600V, RDS(on) = 0.8Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快热门标签：LED驱动选型代换大全推荐上一条：FHU5N60/FHD5N60 下一条：FHP12N60参数代换600V资料KIA12N60H N沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。12N60是针对储能电

这款FHP12N60的特点是12.0A, 600V, RDS(on) = 0.8Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快。FHP12N60的主要封装形式是TO-220/TO-220F,脚位排列位GDS。这款产品参数：Junction and Storage Temperature Range 温度范围：55~+150℃ 12N60场效应管/TO-220封装尺寸：12N60场效应管/TO-220F封装尺寸：12N60场效应管/TO-252封装尺寸：〈烜芯微/XXW〉专业

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