igbt能不能代替mos管,解释MOS管的过驱动电压

怎么判断IGBT和mos 2023-12-23 14:18 605 墨鱼

怎么判断IGBT和mos

igbt能不能代替mos管,解释MOS管的过驱动电压

IGBT是由双极结型晶体管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件2)驱动电路的关断方式：MOSFET可以用零压关断，也可以用负压关断。IGBT只能用负压关断。如果电路驱动电路，只是零压关断，一般不能替代。3)功率管并联：MOSFET是

igbt能代替mos管吗

开关电源的开关(对应上管)和续流二极管(对应下管),可以使用MOS管来实现，而MOS管上管和下管开启/关闭的时间，决定了MOS管的开关损耗：——从MOS管的导通过程分析中，我们看到MOS管开关igbt是绝缘栅双极型晶体管，mos管是绝缘栅场效应管，它们在结构、导通电压、高温特性、开关速度、应用等诸多方面都存在一定的区别，相比较而言，二者各有各的优势，

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此外，以Si基为主的IGBT模块在具有高导热性、高可靠性、高功率等要求、对成本不敏感的轨道交通、工业级SLM2104S600VIGBT/MOS管半驱动动IC封装SOP8IR2104S 价格订货量面议不限个发货地广东深圳发货期限3天内发货供货总量800000个平台认证商家已通过资质核验卓女士销售𐁠𐁣𐁣