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Nx8080场效应管代换,65r280q场效应管代换
超过这个功率,场效应管可能会过热损坏。4. 其他参数除了上述参数外,D8507NX场效应管还具有一些其他参数,如最大耐压、温度范围、引脚布局等。这些参数可以根据具体的应用需型号:D8507NX 类型:N沟道场效应管漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】80 A 漏极和源极电压(VDSS):30 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.011 Ω 封装:TO-252 更多N沟道场效应
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∩▂∩ 描述N沟道场效应管110A80V 查看资料STP110N8F6 购买STP110N8F6 产品说明参数:Order code VDS RDS(on)max ID PTOT STP110N8F6 80V 0.0065Ω 110A 200 W 该器件是N 沟道功率MOSFET使用STripFET亲Mx8080场效应管用200V 140A代替管代换哦场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属-氧化物半
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