12n50场效应管参数,5n60场效应管好坏测量

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1、114种常用大功率高耐压场效应管参数型号耐压(V)电流(A)功率(W)型号耐压(V)电流(A)功率(W)2SK53480051002SK104590051502SK53890031002SK108180071252SK557500121002SK10828006125亲12n50f场效应管参数如下：mdf12n50是场效应管参数是500V 12A 50W 代换型号：12N60 15N60 20N60场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

12n50f 场效应管的主要参数包括：额定电压、最大连续电流、输入阻抗、噪声系数、失真系数等。这些参数决定了场效应管的性能和使用范围。1.额定电压：12n50f 的额定电压为12V,可以代换12n50参数为额定电流12A，耐压值500V 12n60参数为额定电流12安，耐压600伏后者可以替换前者。这里面n是指场效应管为N沟道型。c是为了区分型号，没有含义。

技术参数品牌：FAIRCHILD 型号：FDPF12N50T 批号：19+20+ 封装：TO-220F 数量：21050 QQ: 845598056 制造商：ON Semiconductor 产品种类：MOSFET RoHS: 是技术：Si 安装风RCJ原厂FQPF12N50CR MOS场效应管N沟道TO-220F 电压500V 宁波日昌晶电子科技有限公司1年月均发货速度：暂无记录浙江宁海县¥0.03 光旅电子MOS场效应管AOB12N50 参数N沟道5

国产AO3400 A09T 30V/5.8A N沟道MOS场效应管IRFPC60LC MOS管IR品牌VISHAY 供应增强型MOS场效应管JST12N60F TO-220F JST 马可会员颜玲丽(个体经营) 身份验证：注册资本：5万元型号：12N50 类型：N沟道场效应管漏极电流(ID):12 A 漏极和源极电压(VDSS):500 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.45 Ω 代换型号：IRFM450、2N7228 更多N沟道场效应管FLM0910-8