SRAM:静态随机存储器,在不断电时信息能够保持一致,读写速度快,生产成本高,多用于容量较小的高速缓冲...
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SRAM和DRAM的区别 |
中芯国际SRAM,我国芯片最新消息
一、全球第五大代工龙头,高景气行情下实现高速增长1、背靠大基金与国资委,中芯国际为全球第五大、中国大陆第一大代工龙头中芯国际是全球第五、中国大陆第一大晶圆代工龙头。中芯国际成立于20【嘉勤点评】中芯国际发明的具有传输门晶体结构的存储器方案,通过控制传输门晶体管的沟道区域长度,可以使得传输门晶体管的沟道电流小于下拉晶体管的沟道。从而有利于提高存储器的
>▽< 2001年12月20日,中芯国际与东芝(Toshiba)共同宣布技术授权和代工协定,中芯国际获得东芝低功率静态存组器(Low Power SRAM)0.21微米制程技术。2001年12月21日,中芯国际和特许半导体(C国内方面,2018年兆易创新和美国Rambus公司宣布合作建立合资企业合肥睿科(Reliance Memory),进行RRAM技术的商业化。睿科以及美国Crossbar公司均使用中芯国际的40 nm工艺研发RRAM。相变存储器(PCM)
2015年10月,中芯国际连续宣布新厂投资计划,在上海和深圳分别新建一条12英寸生产线,天津的8英寸生产线产能预计将从4.5万片/月扩大至15万片/月,成为全球单体最大的8英寸生产线,未来中芯国际将联合创虽然由于国内缺少EUV光刻机的问题,目前尚未有中芯国际出货的先进制程芯片,但中芯国际在这一领域的部署令人期待。存储芯片企业在中国的发展也备受瞩目。长江存储和长鑫存储正致力
≥^≤ 近日,专注于ReRAM技术的Crossbar公司宣布与中芯国际合作开发的40nm工艺的ReRAM(非易失性阻变式存储器)芯片正式出样,而更为先进的28nm工艺的ReRAM芯片也将在今年上半年问世。这意味进入21世纪,中芯国际2004年在北京建设中国大陆第一座12英寸晶圆厂(Fab4),2006年大规模量产80纳米工艺,为奇梦达、尔必达代工生产DRAM。2008年由于中芯国际业务调整,退出了DRAM存储器业务。到此中国
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标签: 我国芯片最新消息
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