功率二极管的结构,整流二极管型号及参数

功率二极管的结构,整流二极管型号及参数

功率二极管的结构如图所示，其核心部分是PN结，为了提高耐压水平，采用PIN结构，其中N-区的厚度和掺杂水平表征了二极管的耐压水平；而为了提高载流能力，功率二极管大都采用垂直导电结构，二极管主要是由一个P型和一个N型半导体组成，算是最简单、使用最广泛的器件，二极管的功能很简单： 正向导通，反向关闭。其原理就是一个PN的节的原理，而后面的三极管等都只是PN节的叠

IGBT本身没有体二极管，那个二极管是在工艺过程中另外添加的。根据第四小节MOSFET的内容，很容易得出IGBT的电流流通路径，及两个pnp和npn三极管的结构，不再赘述。上图参考《功率半导功率二极管的基本结构、工作原理与普通的小功率二极管均是一样的，都是由半导体PN结构成的，具有单向导电性，在电路中起正方向导通电流、反方向阻断电流的作用。功率二极管的电

1.封装结构常见的功率二极管的外形结构如图1所示，普通功率整流二极管(Power Rectifier Diode)常采用平板型封装结构，快恢复二极管(Fast Recovery Diode,FRD)常采用塑封结构或模块结1、功率二极管结构和工作原理在本征半导体中掺入P型和N型杂质，其交界处就形成了PN结，在PN结的两端引出两个电极，并在外面装上管壳，就成为半导体二极管。如果一杂质半导体和金属形成整

PN结二极管PN结二极管是功率电子中应用最广泛的二极管之一。它的特点是在PN结和结构表面之间存在至少一层轻掺杂的高电阻层。这种结构允许PN结二极管在导通和截止状态之间进行可靠肖特基二极管的内部结构肖特基(Schottky)二极管也称肖特基势垒二极管(简称SBD),是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管如图1所示，其主要特点是正向导通压降小(约0.4

传统的单极型功率二极管为肖特基结构，传统的双极型功率二极管为pin结构。为了与高性能功率开关器件相匹配，新型功率二极管的结构不断涌现，下面分别进行介绍。1按半导体材料分：有硅二极管、锗二极管等。按PN结结构分：有点接触型和面接触型二极管。点接触型管子中不允许通过较大的电流，因结电容小，可在高频下工作。面接触型二极管PN结的面积大，允许流过